美光宣布已開始批量生產(chǎn)全球首個(gè)176層3D NAND Flash。與上一代128層3D NAND技術(shù)相比，將讀取延遲和寫入延遲改善了35%以上，基于ONFI接口協(xié)議規(guī)范，最大數(shù)據(jù)傳輸速率1600 MT/s，提高了33%，混合工作負(fù)載性能提高15%，緊湊設(shè)計(jì)使裸片尺寸減小約30%，每片Wafer將產(chǎn)生更多的GB當(dāng)量的NAND Flash。

美光新的176層3D NAND已在新加坡工廠量產(chǎn)，并已通過其Crucial消費(fèi)類SSD產(chǎn)品線送樣給客戶，并將在2021年推出基于該技術(shù)的新產(chǎn)品，瞄準(zhǔn)5G、AI、云和智能邊緣領(lǐng)域的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)，滿足移動(dòng)、汽車、客戶端和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求。

其他原廠3D NAND進(jìn)展如何？

三星

2019年8月開始量產(chǎn)第六代（1xx層）TLC V-NAND，并基于該技術(shù)推出了面向消費(fèi)類980 PRO和數(shù)據(jù)中心的PM9A3系列SSD。為了提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，三星正在加速第七代V-NAND（160層以上）的研發(fā)，預(yù)計(jì)2021下半年在新建的平澤NAND新產(chǎn)線投產(chǎn)，以滿足不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)中心和智能手機(jī)存儲(chǔ)需求。

鎧俠/西部數(shù)據(jù)

2019年基于96層QLC單顆Die容量已實(shí)現(xiàn)了1.33Tb容量，2020年初推出的第五代3D NAND技術(shù)，采用的是112層堆疊BiCS5，初步量產(chǎn)的是512Gb TLC產(chǎn)品，已經(jīng)面向消費(fèi)類的產(chǎn)品發(fā)售，QLC 單顆Die容量將達(dá)1.33Tb。

SK海力士

2019年5月送樣96層QLC 4D NAND，單顆Die容量1Tb，同年次月又推出了128層4D TLC NAND，2020年下半年送樣該新技術(shù)的企業(yè)級(jí)PE8111系列SSD，容量高達(dá)16TB，并計(jì)劃在未來開發(fā)32TB容量企業(yè)級(jí)SSD。
 
另外，SK海力士已在2020年第三季度開始全面銷售128層NAND Flash產(chǎn)品，以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)穩(wěn)定的移動(dòng)需求做出反應(yīng)，預(yù)計(jì)第四季度供應(yīng)將持續(xù)放量。

英特爾 

英特爾已經(jīng)成功研發(fā)出144層堆疊的QLC閃存，容量較96層QLC提升了約50%，計(jì)劃是在2020年底前投入生產(chǎn)，并會(huì)推出基于該新技術(shù)的消費(fèi)類和企業(yè)級(jí)SSD。

雖然SK海力士收購(gòu)了英特爾NAND業(yè)務(wù)，包括中國(guó)大連3D NAND工廠，但是在2025年之前，英特爾將繼續(xù)運(yùn)營(yíng)大連工廠和制造設(shè)計(jì)技術(shù)，在目前的144層節(jié)點(diǎn)之后，有望再拓展兩到三代。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)

2020上半年發(fā)布128層QLC 3D NAND（型號(hào):X2-6070），具有1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb單顆Die容量，并在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。同時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也發(fā)布了128層512Gb TLC 3D NAND（型號(hào)：X2-9060），以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
 
3D NAND技術(shù)進(jìn)入100層以上競(jìng)爭(zhēng)，市場(chǎng)將何去何從？

3D NAND技術(shù)是核心競(jìng)爭(zhēng)力，原廠之間的競(jìng)爭(zhēng)也從未停歇，2020年原廠3D NAND供貨主力仍以96層為主，并不斷的提高128層3D NAND產(chǎn)出，同時(shí)三星、SK海力士等積極的導(dǎo)入到消費(fèi)類和企業(yè)級(jí)SSD中應(yīng)用。

隨著3D NAND技術(shù)的發(fā)展，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士3D NAND技術(shù)已發(fā)展到了128層，新晉Flash原廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)也跟進(jìn)發(fā)布了128層TLC/QLC，如今美光搶先推出全球首個(gè)176層3D NAND，讓原廠之間的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)越發(fā)激烈。

隨著3D NAND堆疊層數(shù)的增長(zhǎng)，3D NAND技術(shù)經(jīng)歷了24層、48層、64層、96層、128層等幾個(gè)堆疊階段，NAND Flash單顆Die容量也發(fā)展到了1Tb，如今進(jìn)入100層以上堆疊，NAND Flash供應(yīng)量將進(jìn)一步增加。